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來源：http://www.mlnic.org.cn 作者：dgkjly 2012年05月14
聲表面濾波器材料
聲表面波器件用的壓電基片的必備條件
已知的聲表面波器件所用的壓電基片有壓電單晶、壓電薄膜和壓電陶瓷，對這些材料的共同要求大體如下：
（1）為了能形成叉指電極，必須有盡可能良好的表面，希望平面度最好在數微米（μm）以下.
（2）為了提高換能效率，要求其機電耦合系數盡可能地高，k²值必須在0.5%以上，最好是2%以上。
（3）傳播損耗要小，希望其值在0.2dB/λ以下。
（4）傳播速度的溫度系數要小，但不一定必須在使用溫度范圍內為常量，其變化幅度在200ppm以內即符合要求，作為圖像中頻（VIF）濾波器所用的材料，則應在25ppm/℃以下為宜。
（5）重復性要好，可靠性要高，且適于批量生產，即使基片價格不高，但如果缺乏重復性，也就失去其優越性。
（6）成本要低。
聲表面波器件用的壓電基片的必備條件
已知的聲表面波器件所用的壓電基片有壓電單晶、壓電薄膜和壓電陶瓷，對這些材料的共同要求大體如下：
（1）為了能形成叉指電極，必須有盡可能良好的表面，希望平面度最好在數微米（μm）以下.
（2）為了提高換能效率，要求其機電耦合系數盡可能地高，k²值必須在0.5%以上，最好是2%以上。
（3）傳播損耗要小，希望其值在0.2dB/λ以下。
（4）傳播速度的溫度系數要小，但不一定必須在使用溫度范圍內為常量，其變化幅度在200ppm以內即符合要求，作為圖像中頻（VIF）濾波器所用的材料，則應在25ppm/℃以下為宜。
（5）重復性要好，可靠性要高，且適于批量生產，即使基片價格不高，但如果缺乏重復性，也就失去其優越性。
（6）成本要低。
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