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首頁帝國博客 Silicon發布出色的低相位相躁聲晶體,專用于通信設備501JAA24M0000DAF

Silicon發布出色的低相位相躁聲晶體,專用于通信設備501JAA24M0000DAF

來源：http://www.mlnic.org.cn 作者：lzf 2022年06月17
如果假定晶體沒有受到任何形式的應力，無論是機械的還是電的，那么就剩下兩個參數可以給晶體一個公差變化，即改變晶體的頻率。這些參數是:寄生負載電容產品的PCB和單個z波soc的晶體振蕩器負載電容的差異。
根據SoC晶體振蕩器電路的實現，可能需要外部負載上限。然而，這并不是外殼為EFR32ZG14或EFR32ZG23器件，其中負載帽集成在芯片組的模具上.
晶體所看到的寄生電容數量取決于:
跟蹤長度
PCB材料特性
SoC負載上限內部大小的差異
這些參數因產品設計不同、Z-Wave SoC不同而不同。Silicon發布出色的低相位相躁聲晶體,專用于通信設備501JAA24M0000DAF
510BBA156M250BAGR Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510BBA156M250BAGR Silicon Labs Si510 156.25MHz 3.3V ±25ppm
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530BB125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±20ppm
531FB200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 2.5V ±20ppm
530FB200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±20ppm
530BC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
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SI50122-A4-GM Silicon Labs SI50122-A4 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
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510ACA47M2500AAG Silicon Labs Si510 47.25MHz 3.3V ±20ppm
530AC106M250DG Silicon Labs Si530 106.25MHz 3.3V ±7ppm
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531AC106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 3.3V ±7ppm
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531EC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530EC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
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531EC187M500DG Silicon Labs Si531 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530AC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530AC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530EC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
530FC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC000110DG Silicon Labs Si531 148.35165MHz 2.5V ±7ppm
531EC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530EC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 2.5V ±7ppm
為了抵消PCB、器件實現和Z-Wave soc的寄生負載電容，Z-Wave協議提供了以這種方式調整內部負載電容，使晶體所看到的總電容滿足晶體規格的可能性。
如第2節所述。關于石英晶體公差，在PCB上實現39MHz的系統晶體，并連接到z波SoC會影響晶體頻率。這是由于寄生負載電容增加到晶體端子的痕跡z波器件的晶體分量和由于z波soc內部負載電容的變化。為了抵消附加的寄生負載電容，Z-Wave協議提供了改變內部負載值的可能性電容的方式是使內部負載電容和寄生負載電容之和等于標稱負載晶體的電容。當晶體以標稱負載電容工作時，晶體的頻率也將是標稱頻率:
530AC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530BC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 3.3V ±7ppm
530FC187M500DG Silicon Labs Si530 187.5MHz 2.5V ±7ppm
530EC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
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531FC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 2.5V ±7ppm
531EC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
530FC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 2.5V ±7ppm
530BC000110DG Silicon Labs Si530 148.35165MHz 3.3V ±7ppm
530FC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 2.5V ±7ppm
536AB125M000DG Silicon Labs Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
535EB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 2.5V ±20ppm
536EB125M000DG Silicon Labs Si536 125MHz 2.5V ±20ppm
535BB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
535BB156M250DG Silicon Labs Si535 156.25MHz 3.3V ±20ppm
535FB156M250DG Silicon Labs Si535 156.25MHz 2.5V ±20ppm
530EC312M500DG Silicon Labs Si530 312.5MHz 2.5V ±7ppm
530BC250M000DG Silicon Labs Si530 250MHz 3.3V ±7ppm
530EC311M040DG Silicon Labs Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DG Silicon Labs Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DG Silicon Labs Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC311M040DG Silicon Labs Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DG Silicon Labs Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531EC311M040DG Silicon Labs Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DG Silicon Labs Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
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531BC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531FC312M500DG Silicon Labs Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
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531EC312M500DG Silicon Labs Si531 312.5MHz 2.5V ±7ppm
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535AB125M000DG Silicon Labs Si535 125MHz 3.3V ±20ppm
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501AAA27M0000DAG Silicon Labs Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
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501JCAM032768DAG Silicon Labs Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
SI50122-A1-GM Silicon Labs SI50122-A1 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
SI50122-A2-GM Silicon Labs SI50122-A2 100MHz 2.25 V ~ 3.63 V +100ppm
511SAA100M000AAG Silicon Labs Si511 100MHz 1.8V ±50ppm
510BCA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±20ppm
530AA156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 3.3V ±50ppm
531AA156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±50ppm
530FB100M000DG Silicon Labs Si530 100MHz 2.5V ±20ppm
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530BC125M000DG Silicon Labs Si530 125MHz 3.3V ±7ppm
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501JAA25M0000BAF Silicon Labs Si501 25MHz 3.3V ±50ppm
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501EAA48M0000DAG Silicon Labs Si501 48MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm
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501HCA27M0000DAF Silicon Labs Si501 27MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
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501ABA8M00000CAG Silicon Labs Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501JCA10M0000BAG Silicon Labs Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
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501JCA20M0000CAG Silicon Labs Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000BAG Silicon Labs Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
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501BCAM032768BAF Silicon Labs Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
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501BCAM032768CAG Silicon Labs Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
500DLAA125M000ACF Silicon Labs Si500D 125MHz 2.5V ±150ppm
500DLAA200M000ACF Silicon Labs Si500D 200MHz 2.5V ±150ppm
510CBA100M000BAGR Silicon Labs * - - -
510CBA125M000BAGR Silicon Labs * - - -
510CBA25M0000BAGR Silicon Labs * - - -
510GBA100M000BAGR Silicon Labs * - - -
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510GBA25M0000BAGR Silicon Labs * - - -
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510CBA156M250BAGR Silicon Labs * - - -
510GBA156M250BAGR Silicon Labs * - - -
顯示了兩種不同產品的初始頻率誤差分布情況:一種是完全沒有寄生電容的理想產品(實現起來不現實)，另一種是PCB和z波都有寄生電容的產品SoC。
射頻使能產品的頻率誤差可以通過測量傳輸的載波(CW)的射頻頻率來測量該產品。如果產品是為歐盟地區設計的，并且例如通道2啟用了CW，那么從868420000 Hz測量到的任何平均頻率偏移都是必須糾正的射頻頻率錯誤。
510CBA156M250AAGR Silicon Labs * - - -
510GBA156M250AAGR Silicon Labs * - - -
510CBA100M000BAG Silicon Labs * - - -
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510GBA100M000BAG Silicon Labs * - - -
510GBA125M000BAG Silicon Labs * - - -
510GBA25M0000BAG Silicon Labs * - - -
510CBA100M000AAG Silicon Labs * - - -
510CBA125M000AAG Silicon Labs * - - -
510CBA25M0000AAG Silicon Labs * - - -
510GBA100M000AAG Silicon Labs * - - -
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510ABA100M000BAGR Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
510ABA125M000BAGR Silicon Labs Si510 125MHz 3.3V ±25ppm
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510FBA100M000BAGR Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
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510BBA106M250BAGR Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA74M2500BAGR Silicon Labs Si510 74.25MHz 3.3V ±25ppm
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511BBA74M2500BAGR Silicon Labs Si511 74.25MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAGR Silicon Labs Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
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510GBA156M250BAG Silicon Labs * - - -
510CBA156M250AAG Silicon Labs * - - -
510GBA156M250AAG Silicon Labs * - - -
510ABA100M000AAGR Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
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