設(shè)計(jì)電路要找到匹配的晶振相互配合,補(bǔ)充,才能顯出各自的長(zhǎng)處,電子工程師初期會(huì)篩選晶振供應(yīng)商,來(lái)提供電路需要的晶振型號(hào)及相關(guān)參數(shù).帝國(guó)科技擁有十幾年的豐富經(jīng)驗(yàn),從研發(fā)晶振到電路設(shè)計(jì)已經(jīng)有相當(dāng)成熟經(jīng)驗(yàn).那么先從大家用的最多的32.768K石英晶振 ,石英晶振匹配IC,石英晶振的驅(qū)動(dòng)電壓和功率,晶振焊接溫度及振蕩模式相關(guān)知識(shí)技術(shù)給大家分享.
以下有帝國(guó)小齊整理收集晶振電路設(shè)計(jì)知識(shí).
電路設(shè)計(jì)和晶振的關(guān)鍵性參數(shù):
驅(qū)動(dòng)級(jí)（DL）,石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
石英晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線
石英晶振驅(qū)動(dòng)級(jí)（DL）
晶體單元的驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行功率或電流消耗水平（對(duì)照電路圖9,10,11）.

石英晶體單元操作的權(quán)力過(guò)大,這可能會(huì)導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化.您的電路設(shè)計(jì)在絕對(duì)最大驅(qū)動(dòng)電平.
石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
負(fù)載電容（CL）是一個(gè)確定的石英晶振|振蕩電路的頻率參數(shù). CL是代表一個(gè)有效的等效電容,加載從石英晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(對(duì)照電路圖12,13).

石英晶振|振蕩頻率會(huì)有所不同,這取決于負(fù)載電容
石英晶振|振蕩電路.為了獲得理想的頻率精度,貼片晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的.為使用的晶體單元,配合晶體單元的負(fù)載電容的石英晶振|振蕩電路的負(fù)載電容.
振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）.確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大.
振蕩津貼的評(píng)價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動(dòng)或停止.近似的負(fù)阻電路是通過(guò)增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后,逐漸使Rx值較大時(shí),得到的值.
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個(gè)至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）.大的價(jià)值* Re為振蕩過(guò)程中的有效電阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

【晶振頻率溫度曲線】

音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線,其中有一個(gè)高峰期在25ºC每左圖所示.
請(qǐng)確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因?yàn)轭l率的幅度變化變得越來(lái)越大,溫度范圍變寬.
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:拋物系數(shù)T:給定的溫度,鈦成交額溫度的.晶振的歷史悠久,不要小看一顆小小的晶振,他確蘊(yùn)藏著無(wú)窮的力量,這給新的電子工程師造成了許多困擾,但是你很幸運(yùn),如果你對(duì)晶振電路設(shè)計(jì)還不是很熟練,可以參考一下,希望對(duì)你有幫助.請(qǐng)繼續(xù)關(guān)注帝國(guó)博客將會(huì)給讀者帶來(lái)更多晶振知識(shí),本文晶振與電路設(shè)計(jì)如果匹配本節(jié)完.如果有不清楚的地方可在線咨詢QQ或貿(mào)易通,感謝關(guān)注！

作者：帝國(guó)科技

正在載入評(píng)論數(shù)據(jù)...

此文關(guān)鍵字：晶振電路設(shè)計(jì)貼片晶振 32.768K晶振晶振曲線圖

資訊中心

帝國(guó)博客

設(shè)計(jì)電路與石英晶振如何相得益彰

相關(guān)資訊

帝國(guó)科技

服務(wù)熱線

姓名：
郵箱：
正文：