2．晶體諧振器，要達到穩定性好，要求串聯諧振電阻既要小又要一致性好，同時激勵功率變化帶來的阻抗變量越小，晶體的諧振點容易一致，這樣外圍電路調試比較容易，使產品更穩定，那么具體如何實現呢？第一，用Q值（Q值是等效電路中動態臂諧振時的品質因數，振蕩電路所能獲得的最大穩定性直接與電路中晶體的Q值相關。Q值越高，晶體帶寬越小，電抗值變化越陡，外部電抗對晶體影響越?。└叩乃Р牧?，能降低串聯電阻，同時控制膠量的勻稱性；第二，要求生產車間凈化程度很高，能減少本體之外的灰塵附著物帶來的干擾，降低阻抗變量；第三，成品測試將并聯諧振電阻和DLD值（功率改變引起的阻抗變量）控制在相對更小的范圍內。

3．根據經驗及晶體本身的特性總結出：第一，在使用過程中，外圍匹配電容（包括雜散電容）愈接近晶體標稱電容，電路形成的振蕩頻率愈接近標稱頻率。電路的穩定性由晶體本身和外圍電路共同決定，最佳電路應讓工作頻率高與標準頻率8PPM左右，因為頻率每年都要下降3PPM左右即年老化率，這樣才能保證電路中振蕩頻率在5年內準確度很高；第二，晶體在使用中還要具有一定的溫度穩定性和抗震性及可焊性，如何實現？1）提高晶片加工精度，降低晶體封閉殼中氮氣的露點，通過高低溫測試試驗；2）生產上，用優質膠，點勻和及時烤膠，檢查剔除有崩邊的晶片，通過跌落和機械振動測試（100-20000G）試驗,提高包裝保護；3）同時增加240±10℃和5S條件下的耐高溫測試。

4．晶體振蕩器分直插（DIP-14,DIP-8）和SMD貼片。直插式的一般為非三態線路，有需求可選三態規格，SMD式的為三態線路輸出。在使用中DIP系列1#角在無特殊說明時為斷開的，靜電對DIP破壞性較小。SMD系列1#角內部相連，外接時需斷開，靜電對其破壞最大，容易擊穿IC，須作靜電保護；另外，SMD系列晶振在焊接過程中不要溫度過高，時間過長，一般控制在260℃±5℃，少于5秒。還應注意SMD晶振兩側有的會有DLD測試線，焊接時不能與任意焊點相連。晶振在使用中電壓分5V，3.3V，1.8V等不能兼容，否則會不穩定。

5．隨著石英晶振的被廣泛應用到各種高端設備中，對其要求也越來越高，壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器（TCXO）及恒溫晶體振蕩器（OCXO）的需求逐步上升。VCXO是可以利用電壓變化來調整輸出頻率。（VT-TCXO壓控溫補振蕩器）TCXO是包含一個溫度感應電路，在溫度發生變化是調整輸出頻率，是輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，從而使其在一定的溫度范圍內保持較高的頻率穩定度，一般精度要求在0-3PPM之內的做成這種。OCXO具有更高的穩定性，而且有更低的相位噪聲，精度更高，它是通過內部的恒溫槽維持晶體溫度的穩定。

晶振的檢驗技術和質量控制

(一）表晶，常規標準頻率誤差是+/-20PPM，阻抗是30-40KΩ，但我們實際檢驗控制為：Φ3*8分為A:±5PPM /15KΩ；B:±10PPM /15KΩ；C:±15PPM /18KΩ

Φ2*6（32.768K)分為A:±5PPM /25KΩ；B:±10PPM /28KΩ；C:±15PPM /30KΩ

客戶可以根據需求選擇表晶，要求高的可以選擇誤差和阻抗小的，如A或B。

（二）晶體諧振器：常規標準是頻率+/-30PPM,加嚴控制為+/-20PPM阻抗因頻率不同而變，2007年以前:A表格，今天參數控制是B表格所顯示的：

A表格

49S晶體		49U晶體
頻率	阻值	頻率	阻值
3.579545M /4M	≤120Ω	1.8432M	≤500Ω
4.1M~5M	≤90Ω	2M	≤300Ω
5.1M~8M	≤60Ω	2.4576M	≤150Ω
8.1M~10M	≤50Ω	3M/3.2768M	≤120Ω
10.1M~12M	≤40Ω	3.579545M	≤90Ω
12.1M~30M	≤30Ω	4M	≤80Ω
30M以上	≤30Ω	4.1M~6M	≤60Ω
48M(泛音)	80-100	6.1M~7M	≤50Ω
		8M~10M	≤40Ω
		10.1M~20	≤30Ω

B表格

49S晶體		49U晶體
頻率	阻值	頻率	阻值
3.579545M	≤95Ω	1.8432M	≤300Ω
3.6864M	≤80Ω	2.097152M	≤200Ω
4.000M/4.032M	≤80Ω	3.072M	≤90Ω
4.096M	≤75Ω	3.200M	≤60Ω
4.433619M	≤70Ω	3.579545M	≤65Ω
4.8970M	≤65Ω	4M	≤40Ω
5.000M	≤60Ω	5.000MM	≤30Ω
5.350M	≤50Ω	6.000M	≤20Ω
6.000M	≤40Ω	6.144M	≤20Ω
6.9567M-10M	≤30Ω	10.000M	≤20Ω
10.6M	≤20Ω	11.0592M	≤15Ω
10.8M	≤25Ω	15.360M	≤12Ω
11.0592M	≤25Ω	18.432M	≤10Ω
12.000M-18.432M	≤15Ω	20.000M	≤10Ω
20.000M-24.576M	≤12Ω
25.000M-27.2M	≤10Ω
28.224M	≤11Ω
28.322M	≤12Ω
30.000M-36.864M	≤15Ω
37.998M	≤20Ω
38.897M	≤20Ω
48.000M	≤45Ω

此外，單單要嚴格要求這些參數，還是不夠的，我們在其他參數包括DLD值，Q值等等，對這些參數我們通過權威檢測儀器250B進行檢測和控制，確?？蛻艨梢杂玫劫|量最好的晶體器件。

SMD系列不在一一列舉。

（三）石英 晶體振蕩器：這種產品的在控制上我公司更是相當的嚴格，對每一項參數都要求是最高的，所有產品參數我們都會用PRA1020測試儀器進行測試控制。另外除了對行業參數所控制的范圍，進行加嚴控制，我們還會進一步增加更為全面的測試要求，比如一般的標準電壓是5V或是3.3V,除了要在標準電壓下保證誤差，參數正常，我們還會在上下限電壓進行參數測試，5V晶振會測到4.5V和5.5V電壓下的頻率誤差，3.3V晶振會測到2.97V和3.63V電壓下的頻率誤差，同時控制其一致性，現場觀看測試過程及測試數據表。不同客戶不同要求，客戶可以直接觀看篩選過程。

另外，為了追求晶振的高穩定性，我們對晶振還要進行抗震性和溫度的電性能測試，在公司備有專業的高低溫沖擊測試箱，可以進行冷熱溫度沖擊，測試晶振的耐溫能力；有抗沖擊實驗設備—LD振動臺，對晶振的抗震性進行試驗測試。我們還將準備增設帶電工作高低溫48小時老化控制設備。我們公司的宗旨就是把我們帝國的產品做到精益求精，實現滿足客戶的高質量的要求，讓帝國晶振真正成為客戶首選。

作者：帝國科技

正在載入評論數據...

此文關鍵字：晶振石英晶振振蕩器 VC-TCXO壓控溫補振蕩器

資訊中心

帝國博客

電子元器件行業晶振的一般知識和質量控制

相關資訊

帝國科技

服務熱線

姓名：
郵箱：
正文：