規(guī)格型號(hào)：12704835
頻率：10~20MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：HEC晶振,HE-TXO-758晶振,HE-TXO-758-20.00M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器...

HEC晶振,HE-TXO-758晶振,HE-TXO-758-20.00M晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.

HEC晶振是美國的頻率控制設(shè)計(jì),開發(fā)與生產(chǎn)的制造商,HEC溫補(bǔ)振蕩器因?yàn)槌叽缧?精度高,穩(wěn)定性好,低電壓等特性,一直被海內(nèi)外上萬家生產(chǎn)廠家使用,HEC晶振不斷超越自我與創(chuàng)新的精神,引領(lǐng)著頻率控制元器件的發(fā)展,并在業(yè)界做出的極大的貢獻(xiàn).
HEC, Inc. Hooray USA 致力于提供無與倫比的質(zhì)量，同時(shí)保持極具競爭力的價(jià)格和快速的交貨時(shí)間表。我們供應(yīng)廣泛多樣的行業(yè)，包括電信、軍事和國防、石油鉆探、汽車和商業(yè)產(chǎn)品。
HEC CRYSTAL公司致力于提供高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的HEC VCXO壓控晶振,TCXO振蕩器等定制解決方案,以滿足各種電子產(chǎn)品行業(yè)的各種專業(yè)技術(shù)要求.致力于不斷提供積極主動(dòng)客戶服務(wù),以高要求,高標(biāo)準(zhǔn)化的生產(chǎn)技術(shù),提供客戶最滿意的產(chǎn)品,不斷為客戶創(chuàng)造更大的價(jià)值,為產(chǎn)品的更新迭代做出最大的努力.HEC晶振,HE-TXO-758晶振,HE-TXO-758-20.00M晶振.

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.HEC晶振,HE-TXO-758晶振,HE-TXO-758-20.00M晶振.

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