規(guī)格型號(hào)：61397952
頻率：1~220MHZ
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆...

SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
自從文明誕生以來，人類就明白時(shí)間的重要性。時(shí)機(jī)創(chuàng)造了可以決定成功……或失敗的機(jī)會(huì)和優(yōu)勢。
今天，我們在日常生活的各個(gè)角落都依賴準(zhǔn)確的時(shí)間。了解計(jì)時(shí)行業(yè)如何經(jīng)歷轉(zhuǎn)型，以及為什么計(jì)時(shí)硅化將重新定義未來幾十年可能的極限。
我們是一群充滿激情和堅(jiān)持不懈的創(chuàng)新者，他們在時(shí)間上挑戰(zhàn)了巨人。幾十年來，石英一直主導(dǎo)著這個(gè)行業(yè)，我們決定改變這一點(diǎn)。我們的目標(biāo)很明確：制造性能最高、最可靠的計(jì)時(shí)設(shè)備，比針頭還小。
我們現(xiàn)在引領(lǐng) MEMS 時(shí)鐘市場，生產(chǎn)可編程解決方案，使客戶能夠以更高的性能、更小的尺寸、更低的功耗和更好的可靠性來區(qū)分他們的產(chǎn)品。
SiTime晶振的可配置解決方案幫助客戶提高產(chǎn)品性能，縮小產(chǎn)品尺寸，提升產(chǎn)品可靠性，并在市場競爭中脫穎而出。SiTime產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體制造工藝和高量產(chǎn)塑料封裝技術(shù)的生產(chǎn)流程，提供業(yè)界強(qiáng)大的供貨能力和簡短的交貨時(shí)間.并且SiTime晶振向市場供應(yīng)優(yōu)質(zhì)的有源晶振,可編程振蕩器等產(chǎn)品。SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振.

Ab solute Maximum Table
Parameter		Min.	Max.	Unit
Storage Temperature		-65	150	°C
VDD		-0.5	+4	V
Theta JA ( with copper plane on VDD and GND)		–	27.5	°C/W
Theta JC (with PCB traces of 0.010 inch to all pins)		–	47	°C/W
Soldering Temperature (follow standard Pb free soldering guidelines)		–	260	°C
Number of Program Writes		–	1	NA
Program Retention over -40 to 125C, Process, VDD (0 to 3.6V)		–	1,000+	years
Human Body Model (JESD22-A114)		200	–	–
Charged Device Model (JESD22-C101)		750	–	–
Machine Model (JESD22-A115)		200	–	–
Operating Conditions
Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit
Supply Voltages, VDD [1]	2.97	3.3	3.63	V
	2.25	2.5	2.75	V
	1.7	1.8	1.9	V
Extended Commercial OperatingTemperature	-20	–	70	°C
Industrial Operating Temperature	–40	–	85	°C
Maximum Load Capacitance	–	–	15	pF

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.SiTime晶振,SiT9104晶振,OSC差分晶振.

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