泛音晶體震動的機械波
來源：http://www.mlnic.org.cn 作者：帝國科技 2012年04月30
石英晶振基本技術要求與基本參數 ,一顆石英晶體生產出來的成品都包含有那些參數與溫度負載等.
1、 規格頻率：晶振成品生產出規定的頻率，通常標識在晶振產品外殼上。
2、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產生的頻率。
3、 調整頻差偏差：在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許
偏差。
5、 老化率：在規定條件下，石英晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為
年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，
負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
13、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，
這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
1、 規格頻率：晶振成品生產出規定的頻率，通常標識在晶振產品外殼上。
2、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產生的頻率。
3、 調整頻差偏差：在規定條件下，基準溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標稱頻率所允許的偏差。
4、 溫度頻差：在規定條件下，在工作溫度范圍內相對于基準溫度（25±2℃）時工作頻率的允許
偏差。
5、 老化率：在規定條件下，石英晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為
年老化率。
6、 靜電容：等效電路中與串聯臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。
7、 負載電容：與晶體一起決定負載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。
負載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
只要可能就應選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。
8、 負載諧振頻率（fL）：在規定條件下，晶體與一負載電容相串聯或相并聯，其組合阻抗呈現為
電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯負載電容時，
負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。
9、 動態電阻：串聯諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。
10、 負載諧振電阻：在負載諧振頻率時呈現的等效電阻。用RL表示。
RL＝R1（1+C0/CL）2
激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等
12、 基頻：在振動模式最低階次的振動頻率。
13、 泛音：晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數倍但不是整數倍，
這是它與電氣諧波的主要區別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。
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