規(guī)格型號：98534615
頻率：1.75M-161MHZ
尺寸：2.5*2.0mm
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產品描述：有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 μA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無...

百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器 產品聚焦于高成長終端用戶設備市場，晶振例如電視/衛(wèi)星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數據通訊設備、ADSL 調制解調器、電源供應器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉換器、無線 802.11 LAN 存取點、無刷直流馬達風扇、序列連接及汽車應用。

Double Data Rate (DDR) 同步動態(tài)隨機存取內存是用于計算機的內存等級。 Diodes 石英晶體振蕩器可為高可用性通訊與網絡設備（包括服務器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數據設備）以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。

石英晶振規(guī)格	單位	HX251 2520mm晶振說明	進口振蕩器基本條件
額定頻率范圍	f_nom	1.75M-161MHZ	晶振標準頻率
儲存溫度	T_stg	-20°C ～ +70°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
電源電壓	SV	2.5V 1.8V 3.3V
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息.
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯系我們.
負載電容	CL	10pF	超出標準說明,請聯系我們.
串聯電阻（ESR）	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

激勵功率
在石英晶體單元上施加過多驅動力，百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容）。
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，石英晶振可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節(jié)內容）。

百利通亞陶晶振集團保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進行對話.通過在環(huán)境控制方面實施優(yōu)秀的管理實踐,以保護環(huán)境和全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的貼片晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產品和生產過程中應用最佳環(huán)境實用技術,為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻.
百利通亞陶晶振,有源晶振,HX251晶振,石英振蕩器我們將依據技術進步以及對安全、健康和環(huán)境科學全新的解釋持續(xù)地改進我們的業(yè)務.
我們將追求在資源利用上的零廢物率.壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料將得到循環(huán)和再利用以最大限度地減少對其處理量,同時節(jié)約資源.在廢物的滋生地,廢物將被安全、負責地處理掉.

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